 Unipolární tranzistory na WWW stránkáchUnipolární tranzistor je založen na principu řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem, přičemž vedení proudu se uskutečňuje v tzv. kanále pouze jedním typem nosičů náboje (proto unipolární). Unipolární tranzistory také nazýváme tranzistory řízené elektrickým polem a užíváme pro ně zkratku FET [Field-Effect Transistor]. Vodivost unipolárního tranzistoru je - na rozdíl od bipolárního tranzistoru, kde vodivost je řízena injekcí minoritních nosičů do báze, řízena dvojím způsobem: 1. změnou průřezu vodivého kanálu rozšiřováním depletiční vrstvy přechodu P-N nebo kov-polovodič pólovaného v závěrném směru rozšiřováním závěrné vrstvy, tj. účinkem prostorového náboje přechodu PN - tranzistory JFET, nebo 2. změnou koncentrace majoritních nosičů v inverzním kanálu (inverzní povrchové vrstvě) pod izolační vrstvou dielektrika (kov-polovodič), tj. účinkem indukovaného náboje pod vrstvičkou izolantu (vodivý kanál) - tranzistory MOSFET.
V současné době můžeme unipolární tranzistory rozdělit na tři základní typy: - tranzistory s přechodovým hradlem označované zkratkou JFET [Junction FET] - tranzistory s izolovaným hradlem označované MOSFET (IGFET [Insulated Gate FET]) - tenkovrstvé tranzistory s izolovaným hradlem označované TFT [Thin Film Transistors]  Tranzistory IGFET mají strukturu kov-izolant-polovodič, které odpovídá zkratka MISFET (zkráceně MIS). Ta se v praxi neujala a užívá se zkratka MOSFET a především její zkrácený tvar MOS (které odpovídají konstrukcím se strukturou kov-oxid-polovodič). |
||||
