|
Technologie CMOS Základním prvkem IO vyráběných technologií CMOS (Complementary MOS) je sériová kombinace tranzistorů NMOS a PMOS, což jim také dalo název doplňkové (komplementární) obvody. Integrované obvody CMOS mohou být digitální i analogové. Hlavní výhody spočívají: - velmi malý příkon ve statickém režimu, - velký rozsah napájecího napětí (3 až 15 V, pro struktury menší než 3 um maximálně 6V) - velký rozsah pracovních teplot (-55 až +125°C), - u digitálních obvodů velkou šumovou imunitu (která se zvětšuje s rostoucím napájecím napětím) a možnost plné slučitelnosti s obvody TTL.
Technologický postup výroby komplementární dvojice tranzistorů MOS je následující: 1. do substrátu vodivosti N se přes otvory ve vrstvě SiO2 difunduje hluboká oblast P, označovaná jako jáma, která slouží jako lůžko pro tranzistor NMOS, 2. po následující oxidaci se vyleptají otvory pro difúzi oblastí P+ emitoru a kolektoru tranzistoru PMOS, 3. po další oxidaci se vyletají otvory pro difúzi oblastí N+ emitoru a kolektoru tranzistoru NMOS, 4. metalizace se dělá běžným způsobem po vyleptání kontaktních otvorů. Podobně jako obvody NMOS se i obvody CMOS vyrábějí buď s hliníkovým nebo křemíkovým hradlem. V porovnání s technologií NMOS dosahuje CMOS menší hustotu integrace, protože dvojice tranzistorů vyžaduje jednak ochranné (izolační) prstence, jednak difundovanou nebo implantovanou jámu. Vývoj technologie CMOS byl zaměřen na snížení parazitních kapacit v okolí hradla a na omezení svodů mezi systémy jednotlivých tranzistorů obvodu. |
