|
Výroba metodou PLANOX
Princip metody PLANOX připomíná izoplanární technologii. Na Si desku se nejprve nanese vrstva Si3N4. Tato vrstva se na příslušných místechn odleptá pro selektivní termickou oxidaci, kterou se vytvoří tlustá vrstva SiO2. Následuje leptání otvorů Si3N4 pro difůzi emmitoru a kolektoru a opět termická oxidace, která vytvoří tlustou vrstvu SiO2 nad difůzními oblastmi, atd.
Při difúzi emitoru a kolektoru působí nitridová vrstva jako maska, čímž se definuje poloha
hradlové elektrody a do jisté míry tedy nastává její samonastavení - samozákryt. Úplné
samonastavení je omezeno tím, že tato elektroda není ještě v době difúze nanesena
(prakticky to nelze realizovat, hliník nevydrží teploty kolem 1000°C, které vyžaduje
difúze) a vytváří se až v dalších krocích.
|
a) nanesení Si3N4 na Si desku |
|
b) vyleptání otvorů pro difůzi Emitoru a Colektoru |
|
c) termickou oxidací vytvoření tlusté vrstvy SiO2, nanesení Si3N4 |
|
d) vyleptání otvorů pro kontakty a tenkého hradlového SiO2 |
|
|
 | ...kovové kontakty |
 | ...SiO2, izolační vrstva |
 | ...polodovič typu P |
 | ...polovodič typu N |
|
Obr. 3 - Výroba tranzistoru metodou PLANOX
Výhody metody PLANOX:
- rekudce výškových rozdílů oxidových vrstev (tj. vcelku planární povrch)
- jednoduchá realizace nízkoohmových oblastí kolektoru a emitoru
- odolnost hradlového dielektrika proti průrazu statickým nábojem
|