Výroba metodou SATO

Postup výroby tranzistoru MOS metodou tlustých oxidových vrstev SATO (Self-Alignment Thick Oxide).

a) nanesení Si3N4 na Si desku
b) odleptání na příslušných místech, difúze, vytvoření kolektoru a emitoru
c) selektivní termickou oxidací je nanesena tlustá vrstva SiO2, vyleptání otvorů v Si3N4 pro difůzi emitoru a kolektoru, opět termická oxidace
d) vyleptání, difůze, vytvoření kontaktů a hradlového SiO2

...kovové kontakty
...SiO2, izolační vrstva
...polodovič typu P
...polovodič typu N

Obr. 2 - Výroba tranzistoru metodou SATO

Snahou všech výrobců obvodů MOS totiž je snížit na minimální hodnotu parazitní kapacity mezi hradlem a kolektorem a emitorem. Metody, které (různým způsobem) omezují překrývání elektrod jsou nazývány samozákrytové (samomaskovací, selfalignment). U těchto způsobů výroby se používá vrstvy Si3N4 ve funkci masky pro selektivní oxidaci (SiO2) nebo oblastmi kolektoru a emitoru. Při dalším kroku se maskovací vrstva Si3N4 zaměňuje za tenkou vrstvu SiO2.



 úvod  |  obsah  ||  teorie |  charakteristiky |  pracovní bod |  struktury